圖1 2003-2007年中國功率器件市場規模
功率器件主要分為功率分立器件以及電源管理IC兩大類產品。從市場份額來看,電源管理IC大概占40%,而功率分立器件則占60%,二者廣泛應用於各種各樣的電子產品之中。
電源管理晶片方面,經歷了多年的快速發展之後,由於產品庫存調整、用量增長率放緩以及產品價格下降等諸多因素的影響,市場發展在2007年有所放緩,預計2007年中國電源管理晶片的市場增長率將下降到15%左右,近些年來,增長率首次跌落到20%以下,然而由於2007年的市場基數處於一個較低的水平以及未來應用還將穩定增加,因此中國電源管理晶片市場有望在2008年重新回到20%的增長水平。
圖2 2003-2007年中國電源管理晶片市場規模
從電源管理晶片的產品類型來看,應用最多的兩類產品依然是LDO和DC-DC產品,但這兩類產品在2007年同時受到價格下降以及用量增速放緩的影響,在電源管理晶片中的市場份額稍有下降。同時,得益於手機等便攜產品應用增加的推動,2007年PMU和電池管理等產品的市場增長率相對較高,而且未來PMU、電池管理以及熱拔插等產品的市場份額將會有所提高。
電源管理晶片主要應用於計算機、網絡通信、消費電子和工業控制等領域,此外,汽車電子領域雖然所占市場份額較小,但卻是發展最快的領域。從未來的發展來看,汽車電子領域仍將是發展最快的領域,其市場份額在未來幾年將快速提高,此外,網絡通信也將在3G等應用的帶動下保持快速的發展,其市場份額也將穩步提高,消費電子、計算機和工業控制領域的發展則會相對穩定。
圖3 2007年中國電源管理晶片市場應用結構
技術方面,更高的集成度、更高的功率密度、更強的耐壓、耐流能力以及更高的能效等方面一直是電源管理晶片的發展方向,技術的不斷更新和發展也將是推動電源管理晶片市場發展的主要因素之一。
從競爭格局來看,電源管理晶片無論在市場還是技術,歐美廠商都占據絕對優勢,尤其是美國廠商,雖然ST、NXP和Infineon三家歐洲大廠也有很強的競爭力,但是電源管理晶片只是它們眾多產品線中的一個而已,而美國廠商則擁有NS、TI、Fairchild、On Semiconductor、IR和Maxim等眾多廠商,而且多為專注與電源管理領域的廠商。電源管理晶片市場上歐美強勢的格局已經持續很多年,而且從目前來看,這種格局在未來幾年還將繼續。雖然歐美廠商在技術和市場上都保持優勢,但並不代表中國以及其它地區的新進入者沒有機會,目前中低端電源管理晶片的技術門檻對眾多有能力的設計公司來講已經不是問題,在中國就有聖邦微電子、長運通、龍鼎、明微和華潤矽威等一批從事電源管理晶片研發的企業,雖然產品基本限定在LDO、DC-DC和LED驅動等產品中,但畢竟已經在市場取得一定成功、客觀的說,目前這些新進入者無法對歐美廠商形成太大威脅,無論在產品線的完整性還是產品技術方面都明顯落後於領先廠商,但是這些廠商在電源管理晶片的中低端領域已經具備一定的競爭力,未來如果發展良好,在某些領域和產品應用中可以和歐美領先廠商一較高下。
在功率分立器件市場中,IGBT和MOSFET市場都將保持著較高的增長速度,但由於IGBT產品主要應用在高壓產品中,市場應用受到一定的限制,所以市場規模要小於MOSFET。而受到消費電子以及高輸出電流和高性能要求的計算機市場的帶動,低壓MOSFET市場在未來將保持著比較快的增長趨勢。對於高壓MOSFET來說,電源的高能效要求則是影響產品未來發展的主要因素。而隨著汽車中IC用量的逐步增多,為了滿足這些日益增多的IC對電源的需求,MOSFET的用量也呈現出上升趨勢。MOSFET在電動工具等產品中的應用也將推動工業控制領域的發展。
從工藝技術上看,由於Trench技術能夠有效地降低產品的導通電阻,並且具有較大電流處理能力,所以近年來Trench MOSFET在計算機、消費電子等領域中發展快速。目前,Trench MOSFET技術在低壓MOSFET產品市場中已被廣泛接受,具有很高的市場占有率。在高壓MOSFET市場上,雖然隨著Trench MOSFET工藝技術的不斷提升產品的耐壓能力有了一定的提高,但相較於Planar產品,Trench MOSFET的耐壓能力仍有一定的差距。整體上來看,在高壓MOSFET市場上,Planar技術仍有一定的發展空間。未來,含有高端工藝的平面技術將會是高壓MOSFET的發展趨勢。
無論是電源管理晶片還是功率分立器件,未來中國市場的發展都很難達到近五年來的增長速度,直接因素就是未來整機製造業向中國轉移趨勢的減緩,以及眾多整機的增長率在經歷了多年的高速增長之後將會逐漸飽和,因而造成的下游整機產量增長的減緩,整機產量增長率的減緩將直接導致功率器件需求量增長的減緩,從而影響功率器件市場的發展,未來5年,預計中國功率器件的複合增長率將在15%左右。
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