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氮化鎵電源管理晶片市場將快速增長

2010-04-16 09:16:00報告大廳(www.chinabgao.com) 字號:T| T

   據iSuppli公司,由於高端伺服器、筆記本電腦、手機和有線通訊領域的快速增長,氮化鎵(GaN)電源管理半導體市場到2013年預計將達到1.836億美元,而2010年實際上還幾乎一片空白。

    GaN是面向電源管理晶片的一種新興工藝技術,最近已從大學實驗階段進入商業化階段。該技術對於供應商來說是一個有吸引力的市場機會,它可以向它們的客戶提供目前半導體工藝材料可能無法企及的性能。

    iSuppli公司認為,在過去兩年裡,有幾件事情使得GaN成為電源管理半導體領域中大有前途的新星。

    首先,矽在電源管理半導體中已經達到實際極限。另外,在矽上面生長GaN層已經取得突破。電源設計師也想開發更有效率的系統和升級高壓產品,以消耗更少的電力

    元件供應商已開始提供GaN器件。例如,國際整流器公司2月份推出了它的首款GaN負載點(POL)解決方案,EfficientPowerConversionsCorp.(EPCC)正在全力開發GaN技術,本月推出了10款功率MOSFET器件。

    可改善效率

    GaN材料將使效率得到提高,使器件尺寸縮小,這些優點將促進GaN器件得到更廣泛的接受。對於移動PC和智慧型手機等便攜電子產品來說,這些好處都是求之不得的。對於企業伺服器和有線通訊基礎設備等耗電量較大的電子設備,GaN器件也具有許多好處。

    但是,由於採用GaN材料涉及較高的成本,所以2010和2011年上述應用對GaN技術的接受速度將比較緩慢。隨著2012和2013年該技術的發展,以及製造GaN器件的成本下降,該技術將開始奪取傳統MOSFET、驅動IC和電壓調節IC的市場份額。

    最先採用GaN器件的很可能是伺服器,因為伺服器總是需要高性能器件,而且經常是第一個接受可以改善性能的新技術的產品領域。在未來三年,GaN器件出貨量的主要推動者將是筆記本電腦,因其非常需要GaN來節省功率和縮小外形尺寸。

   
 

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