中國報告大廳網訊,當前全球存儲晶片市場正經歷結構性變化,多家頭部企業表示產品價格已觸底企穩,行業復甦信號顯著增強。隨著技術疊代加速及AI端側應用的爆發式增長,存儲晶片市場需求持續升級,疊加產能調整與庫存消化帶來的供需關係改善,新一輪價格上漲周期或將在2025年下半年開啟。
當前存儲晶片市場正經歷從「價格波動」向「結構升級」的關鍵轉折期。供需關係的持續改善為價格回升提供支撐,而AI端側應用帶來的高容量、高性能需求則進一步打開行業增長空間。隨著技術疊代加速與定製化方案落地,存儲晶片產業鏈有望在2025年下半年迎來量價齊升的新周期,並在全球數位化進程中扮演更核心的角色。
2024年存儲晶片市場呈現顯著波動:上半年DRAM價格回暖後,下半年因需求減弱及尾貨去化導致價格回調。然而,行業分析指出,2025年初NAND Flash廠商主動減產將有效緩解供過於求的局面,並為下半年價格反彈奠定基礎。以利基型DRAM為例,市場預測其將在前兩個季度維持底部盤整,但隨著渠道庫存逐步消化至合理水平,下半年供需格局改善後價格有望企穩回升。
人工智慧技術的滲透正重塑存儲晶片市場需求結構。AI手機DRAM配置已提升至16GB,AI電腦內存容量普遍達32GB;智能汽車引入開源大模型後對高可靠性存儲的需求激增,進一步推動行業擴容。據測算,AI端側設備對高帶寬、低延遲存儲解決方案的需求將顯著提升,例如HBM3(高帶寬存儲器)成為AI伺服器標配,而LPDDR5X技術則加速在消費電子領域的普及。
為適應市場需求升級,存儲晶片廠商正加速技術突破:
性能優化:下一代計算平台對內存帶寬需求迫切,某領先企業已推出支持12800MT/s傳輸速率的DDR5相關晶片;
定製化方案:車載智能設備需兼顧低功耗與高可靠性,推動存儲晶片向定製化方向發展;
存算一體化:通過2.5D/3D堆疊技術融合計算與存儲,成為提升晶片性能的核心路徑。
此外,部分企業依託研發封測一體化布局,在智能可穿戴設備領域形成競爭優勢,例如某公司通過固件算法優化和先進封裝工藝,助力產品實現輕量化設計並降低功耗。
總結展望
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