中芯國際集成電路製造有限公司(「中芯國際」)日前宣布,自2007年12月與IBM簽訂45納米低功耗和高性能bulkCMOS技術許可協議不到一年後,其第一批45納米產品已成功通過良率測試,標誌著其45納米工藝進入一個新的里程。
在過去11個月裡,中芯國際生產設備都已到位,並成立了一個專家組與IBM團隊密切合作,以確保轉移技術順利,並開始進行技術認證的測試。第一批完整工藝流程的300毫米晶片在IBM的測試條件下取得了出色的良率。「高端客戶們對中芯45納米項目取得的進展感到滿意,對此我們非常感謝IBM系統技術團隊給予我們強大的技術支持。」中芯國際45納米項目負責人,邏輯技術中心副總經理俎永熙博士表示,「這是我們45納米合作項目的第一個重要里程碑,為我們給客戶提供IBM的技術與中芯國際完善的晶片代工服務鋪平了道路。」
這一技術目標提前完成,進一步鞏固了中芯國際技術領先者的地位。中芯國際已與一系列高端客戶簽定45納米代工協定,計劃於2009年開始生產。該技術以SPICE模式為支持,有助於暢通設計流程,使客戶能儘早計劃產品上市時間。
IBM授權的45納米bulkCMOS技術可實現以下應用,包括移動設備,如3G手機,全球定位系統,以及多媒體處理器。該技術還可以支持圖形,網絡,存儲及一般消費性裝置的生產製造。
「完成第一批45納米良率測試產品令我們十分振奮和鼓舞」,中芯國際市場行銷中心資深副總裁季克非表示,」這不僅驗證了IBM公司授權的技術,也證明了我們專注於邏輯代工的策略是十分正確的,同時也使中芯國際能夠為設計及系統廠商及時提供領先的45納米晶片代工解決方案。此外,我們提前完成技術目標也再次證明了中芯國際在嚴格時間限制下的技術開發能力。」
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