2016年NAND快閃記憶體廠商財報匯總：大多不如2015

　　2016年市場NAND Flash持續缺貨，據中國快閃記憶體市場價格指數分析，到2016年底NAND Flash每GB價格已回升到2014年底水平，至0.25美元/GB，價格的飛速且大幅上漲不僅對市場造成了巨大影響，想必也有助於Flash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等營收和利潤的增長，但實際上大多數都不如2015年。

　　分析認為，其重要原因是因為2016年Flash原廠加速向3D NAND切換，除了研發成本增加，切換過程中也很容易出現產能損失，同時還需要更新舊設備，增加新設備，以及擴大生產空間，從而導致Flash原廠NAND Flash產出減少，以及投資成本增加。

　　三星

　　2016年三星雖然受Note 7停產和停售影響， Q3營收和淨利潤較預期減少，但受惠Memory、OLED等半導體晶片需求增長，以及Galaxy S7銷量優於預期，累積前三季營收達148.5兆韓元，淨利潤15.6兆韓元，雖然扭轉了連續兩年營收和淨利潤雙雙下滑的頹勢，但較2015年同期幾乎零增長。不過，三星制定了2017年營收利潤超過30兆韓元的目標。

　　註：三星初步預估2016年Q4營收為53兆韓元，營業利潤為9.2兆韓元，正式Q4財報將在2017年1月底發布。

　　最新2017-2022年中國快閃記憶體晶片行業專項調研及投資價值預測報告顯示，三星自2013年成功量產V-NAND，2016年除了西安廠量產V-NAND，在Q2已將Fab 16工廠16nm MLC產線轉向48層V-NAND，2016年底V-NAND生產比重已突破35%。2017年三星新工廠Fab 17和Fab 18也都將投入V-NAND生產，3D技術也將向64層提升，中國快閃記憶體市場ChinaFlashMarket預計三星V-NAND生產比重在2017年Q1可達到45%，Q2將達到50%以上，在3D NAND爆發元年將有很大的市場競爭優勢。

　　東芝/西部數據（WD SanDisk）

　　2015年東芝曝出財務造假，影響股價跌幅超過50%。東芝2016年4月-6月營收1.21兆日元，淨利潤798億日元，實現了自2015年的財務造假事件之後的首次盈利，7月-9月營收1.372兆日元，淨利潤355億日元，可見東芝財務狀況已扭虧為盈，股價也基本回到了2015年初的水平。不過，受東芝子公司西屋電氣的一項核電業務收購案影響，東芝2016年底股價重挫40%，2017年仍將面臨巨大的挑戰。

　　東芝2016年財報數據

　　東芝採用BiCS（Bit Cost Scaling）架構在2016年量產48層3D NAND，單Die容量為256Gb，僅用於自家快閃記憶體產品，年底已小量生產64層3D NAND，2017年將主力切換到64層量產。東芝改造的Fab 2工廠已開始小規模投產48層3D NAND，預計2017年將切換至64層量產。東芝計劃在未來3年內投資額達8600億日元，其中包括將在2017年3月開始建設的新工廠Fab 6，2018年Q3開始量產3D NAND，以及更新現有設備等。

　　另外，西部數據已在2016年5月完成了對閃迪（SanDisk）的收購，並於Q3整合了兩家的財務數據。未來西部數據仍在NAND Flash技術與資源上與東芝保持合作關係。

　　SK海力士

　　海力士還未被SK集團收購以前，由於2008年爆發的全球金融危機讓其陷入了嚴重的債務危機，當時虧損高達4.75兆韓元。2011年SK集團收購海力士，並逆境大手筆投資研發和生產，終於在2013年扭虧為盈，之後依然保持較高的營收和利潤成長。

　　2016年SK海力士累積前三季營收11.8兆韓元，較2015年同期下滑18%，淨利潤則下滑63%，這是被SK集團收購後首次出現營收和利潤下滑。3D NAND採用36層製造，並在2016年初積極向各家合作夥伴送樣，開始規模試產，第三代48層3D NAND已在年底開始銷售。2017年SK海力士計劃提升至72層3D NAND量產，將在Q1推出樣品，Q2開始小批量生產，從堆疊層數來看，已經趕上甚至反超競爭對手，但同時也將面臨著更大的量產風險。

　　另外，為了提高市場競爭力，SK海力士計劃與硬碟大廠希捷合作，將設立合資公司，目標是搶占快速成長的SSD市場。

　　美光

　　由於美光DRAM業務約占整體營收60%，受PC市場需求下滑影響，2016年前三季度淨利潤虧損高達4.8億美元，在Q4終於扭虧為盈。2016年美光32層3D NAND MLC版本單Die容量32GB，TLC版本容量48GB，是目前除原廠品牌之外，市場3D SSD的主要貨源之一，64層3D NAND已於2016年12月送樣，2017年將逐步進入量產階段。

　　美光2015年擴建的Fab 10x於2016年投產，英特爾2015年宣布獨自投資55億美元升級設備的大連Fab68工廠，在2016年Q3開始試產32層3D NAND，預計2017年中期轉至64層量產。

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