| 企業名稱 | 吉林華微電子股份有限公司 | 統一社會代碼 | 91220201717149339H |
|---|---|---|---|
| 法人代表 | 夏董 | 成立日期 | 1999-10-21 |
| 公司類型 | 其他股份有限公司（上市） | 所在地區 | 吉林 |
| 聯繫方式 | 0432-64678411,400-701-2525 | 企業官方 | http://www.hwdz.com.cn/ |
| 企業地址 | 吉林省 高新區深圳街99號 | ||
| 經營範圍 | 半導體分立器件、集成電路、電力電子產品、汽車電子產品、自動化儀表、電子元件、應用軟體的設計、開發、製造與銷售。經營本企業自產產品及相關技術的出口業務（國家限定公司經營或禁止出口的商品除外）；經營本企業生產、科研所需的原輔材料、機械設備、儀器儀表、零配件及相關技術的進出口業務（國家限定公司經營或禁止進口的商品除外）；經營本企業的進料加工和「三來一補」業務；有儲存（氫氣、氧氣、氮氣）、無儲存（砷烷、硼烷、磷烷、氯氣、硫酸、鹽酸、丙桐）零售、批發。（依法須經批准的項目，經相關部門批准後方可開展經營活動） | ||
| 商標名稱 | 商標註冊號 | 類號 | 申請人 |
|---|---|---|---|
| 圖形 | 13527940 | 第9類 | 吉林華微電子股份有限公司 |
| 圖形 | 1654463 | 第9類 | 吉林華微電子股份有限公司 |
| JSMC | 5706587 | 第9類 | 吉林華微電子股份有限公司 |
| 圖形 | 673644 | 第9類 | 吉林華微電子股份有限公司 |
| 序號 | 專利號/專利申請號 | 專利名稱 |
|---|---|---|
| 1 | CN201420656956.2 | 低輸入電容功率半導體場效應電晶體 |
| 2 | CN201620786862.6 | 一種MOSFET器件 |
| 3 | CN200710037559.1 | 採用PSG摻雜技術的VDMOS、IGBT功率器件及其製造工藝 |
| 4 | CN200820072477.0 | 以塑封料部分取代引線框架材料的器件 |
| 5 | CN201420120155.4 | 具有溝槽側面的引線框架 |
吉林華微電子股份有限公司是集功率半導體器件設計研發、晶片加工、封裝測試及產品營銷為一體的國家高新技術企業。公司總資產68億元，員工2300餘人，技術人員占公司總人數的30%以上，占地面積40萬平方米，建築面積13.5萬平方米，淨化面積17000平方米，主要淨化級別為0.3微米百級。公司於2001年3月在上海證券交易所上市，股票代碼600360，為國內功率半導體器件領域上市公司（主板A股）。
京公網安備 11010502031895號
