隨著電力電子技術的快速發展,電抗器在眾多領域發揮著至關重要的作用。在2025年,電抗器行業技術不斷創新,尤其是在大功率 IGCT 變流器陽極電抗器的設計與優化方面,成為行業研究的熱點與關鍵。如何在保證設備安全運行的前提下,降低電路損耗、提高系統效率,成為亟待解決的問題。
IGCT 箝位電路的典型拓撲由陽極電抗器、箝位二極體、箝位電容和箝位電阻構成。《2025-2030年全球及中國電抗器行業市場現狀調研及發展前景分析報告》指出,在 IGCT 開通過程中,負載電流從 FRD 轉移至 IGCT。當 FRD 反向恢復電流達到最大值後逐漸衰減,FRD 端電壓大於上橋臂直流母線電壓,促使箝位二極體導通,箝位電路形成不同的續流迴路,使得陽極電抗器電流中與負載電流相關部分衰減至零,箝位電容端電壓下降至與母線電容一致,此過程中陽極電抗器限制了迴路的電流變化率。
當 IGCT 關斷時,負載電流從 IGCT 轉移至 FRD。由於陽極電抗器電流不能突變,其電流通過箝位二極體向箝位電容轉移,隨後箝位電路形成特定續流迴路,陽極電抗器電流繼續減小,直至箝位二極體反向恢復過程完成,陽極電抗器電流衰減至零,箝位電容端電壓與母線電容一致 。
IGCT 開關過程中電路損耗主要包括 IGCT 的開關損耗、二極體的反向恢復損耗以及箝位電路的損耗,這些損耗與陽極電抗器密切相關。
在 IGCT 開通過程中,考慮陽極電抗器影響電流變化率下的開通能量損耗,由於陽極電抗器使電流變化率降低,對應的電流值變小,所以陽極電抗器越大,GCT 的開通損耗越小。在 IGCT 關斷過程中,不同陽極電抗器的取值影響箝位電容充電電壓幅值,進而影響 IGCT 關斷損耗,隨著陽極電抗器增大,GCT 關斷電壓變大,關斷損耗增加。
對於二極體關斷損耗,增大陽極電抗器的值可降低二極體關斷時的電流變化率,從而減小反向恢復電流,降低二極體關斷損耗。箝位電路的損耗主要由陽極電抗器儲存的能量耗散引起,在一個開關周期內,GCT 開通和關斷時,陽極電抗器分別耗散不同能量,箝位電路損耗能量與陽極電抗器電感值呈正相關,但具體影響需結合二極體參數和工況定量分析。
以特定的 GCT 器件和二極體,以及直流母線電壓 2.2kV 作為輸入條件進行分析。隨著陽極電抗器增大,箝位電路損耗與 GCT 關斷損耗增加,GCT 開通損耗和二極體關斷損耗減小。適當增大陽極電抗器時,電路總損耗增幅有限且電流變化率抑制效果明顯;但當陽極電抗器顯著增大,IGCT 開通損耗與二極體關斷損耗下降空間有限,而箝位電路損耗顯著增加,導致電路總損耗顯著增大。
為驗證上述損耗分析方法與結論,在不同陽極電抗器電感值下對 GCT 半橋功率模塊開展開關測試實驗。設定實驗中直流電壓為 2200V,關斷電流 3300A,迴路雜散電感為 120nH,緩衝電容採用 10μF,採用雙脈衝測試控制變量。通過調整陽極電抗器銅排短接位置改變其大小,實驗開始時 IGCT 導通,母線電容對負載電感充電,隨後 GCT 關斷,二極體導通,測量 IGCT 關斷損耗,再導通 IGCT 測量二極體關斷損耗,最後 IGCT 關斷結束實驗。
對比實驗測試與理論計算結果,電路各部分損耗與電路總損耗的變化趨勢一致且數值較為接近,表明建立的損耗模型正確。實驗結果顯示,適當增加陽極電抗器的電感值,可在一定程度上實現二極體關斷損耗、箝位電路損耗、IGCT 的開通與關斷損耗的平衡,電路總損耗增加不明顯;但當陽極電抗增大到一定值後,電路總損耗將迅速增加 。
基於以上研究,在設計陽極電抗器參數時,可通過建立的損耗模型計算各部分電路損耗,在滿足抑制電流變化率的前提下,在電路總損耗增加較為平緩的區間內選取陽極電抗器的電感值,以實現兼顧器件安全運行和降低電路損耗的目標。
綜上所述,對大功率IGCT變流器陽極電抗器的研究,深入分析了IGCT開通和關斷過程中陽極電抗器的充放電工況,建立了考慮陽極電抗器的電路損耗計算模型,明確了陽極電抗器對電路各部分損耗的影響。通過實驗驗證了損耗模型和分析的正確性,揭示了陽極電抗器取值對抑制器件電流變換率與電路損耗之間的約束關係,為陽極電抗器的參數設計及優化提供了重要指導,對推動電抗器行業技術在大功率 IGCT 變流器領域的發展具有重要意義。
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