2025年半導體存儲器精選報告報告

　　半導體存儲器是一種以半導體電路作為存儲媒體的存儲器,內存儲器就是由稱為存儲器晶片的半導體集成電路組成。

　　2016-2021年中國半導體存儲器行業發展分析及投資潛力研究報告表明，半導體集成電路持續叐到國家政策的扶持，近期仍國家層面到地方層面的政策及資本的持續也是持續丌斷。存儲器是集成電路產業的基礎產品之一，產品的成熟度和產業的覎模敁應均較為顯著，而目前中國大陸地匙的企業在相關領域內的仹額仌然較低，通過國家政府層面的大覎模投資有機會快速切入相關領域，也是晶片國產化之路邁出的可靠而重要的一步。

　　全球半導體產品的銷售額和存儲器銷售額

　　半導體存儲器是一個高度壟斷的市場，其三大主流產品DRAM，NANDFlash，NORFlash更是如此，尤其是前兩者，全球市場基本被前三大公司占據，且近年來壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲晶片為例，2016年第一季度，DRAM市場93%份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據，而NANDFlash市場幾乎全部被三星、海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾等六家瓜分。

　　(1)DRAM：全球市場規模約410億美元。目前DRAM行業基本被三星，海力士，美光三家壟斷了95%以上的市場。2014年，三星、海力士在先進位程上表現出眾，三星(Samsung)已大規模採用20nm工藝，毛利達42%，SK海力士則以25nm工藝為主，毛利率達40%，兩者獲利能力皆進一步提升，而美光的工藝則仍以30nm製程為主，毛利率約為24%，遠低於前兩家，故DRAM市場的壟斷格局有加劇之勢，尤其是三星，由於率先進入20nm量產時代，成功銷售不少高附加價值產品，2015年DRAM市場雖略有萎縮，但三星的營業收入反而逆勢生長，突破200億美元大關，並連續24年蟬聯DRAM半導體全球市占率第一。

　　在移動DRAM市場上，三星與海力士的市占率超過80%，呈現壓倒性優勢。

　　(2)NANDFlash：全球市場規模約300億美元。NAND的壟斷形勢比DRAM更加嚴重，三星依然是行業龍頭，連續多年市占率維持在35%左右，東芝則和閃迪聯手，共同奪得了NAND領域第二的位子，市占率一般保持在30%左右;美光則擁有英特爾的幫助，排行第三;海力士在2011年市占率超過了美光，之後則將重心放在了DRAM方面，2012-14年連續三年排第四。上述四家公司壟斷了整個NAND市場，且壟斷程度呈上升趨勢，2011年到2014年期間，四大寡頭的NAND市占率由91.3%上升到了99.2%。

　　(3)NORFlash：全球市場規模約30億美元。相對DRAM和NAND來說，NOR市場要小的多，分散程度也更大，目前市場主要由美光、飛索半導體(被Cypress收購)、旺宏、三星、華邦、兆易創新、宜揚科技七家主導，前五家屬於IDM模式，後兩家屬於Fabless模式，其中兆易創新是我國唯一一家在主流存儲器設計行業掌握一定話語權的企業，其在NORFlash領域進步飛速，2012年還僅占市占率的3.4%，到2013年已躍居11%，位列全球第四。

　　7月北美半導體設備訂單出貨比(B/B值)為1.05，並已連續8個月守穩在1以上，表明全球晶圓代工廠與存儲器設備投資加快。另外，2016年全球主要集成電路製造企業的資本支出呈正增長。機構預計，2016年全球集成電路產業或將觸底回暖。現對2016年我國半導體存儲器行業投資前景分析。

　　數據顯示，2016年至2017年，全球預計新建晶圓廠19座。其中，10座將建於我國，全球半導體產能正加速向我國轉移。機構預計，到2019年，我國集成電路企業銷售額增速將維持在25%至30%。

　　存儲器是半導體產業資本支出最高的領域，占整個行業的38%。存儲器作為我國集成電路支柱產業，目前主要依賴進口。數據顯示，僅去年前三季度，我國採購了120 億美元的DRAM 和66.7 億美元的NAND flash，分別占到全球消費量的 21.6%和29.1%。存儲器是我國半導體行業四大產品類型中自給率最低的一個，未來具有較大的發展空間。

　　目前，我國正斥巨資啟動國家存儲器戰略。今年3月，總投資240億美元的存儲器基地項目在武漢東湖高新區正式啟動。據了解，這一存儲器基地項目的主要產品為3D NAND，預計到2020年將形成月產能30萬片的生產規模，到2030年有望建成每月100萬片的產能。另外，紫光集團已明確旗下紫光國芯為其存儲平台，並已定增800億元用於存儲器戰略。但由於存儲器行業門檻高，我國在傳統的存儲器領域很難短期內趕超國外同行，所以新型存儲器將成為我國彎道超車的最佳選擇。

　　目前，存儲器市場的三大主流產品分別為DRAM、NAND Flash和NOR Flash。不論是NAND 還是DRAM，在成本和性能等方面都漸漸開始顯露疲態，因此各大存儲器龍頭均在積極發展新型存儲器。

　　2016-2021年中國半導體存儲器行業發展分析及投資潛力研究報告表明，在政策的大力支持下，國內企業在存儲器領域取得了較大發展。在3D NAND 方面，去年武漢新芯攜手Spansion已經在存儲器研發上取得進展，具有9層結構的三維存儲器晶片下線;在PCM和RRAM等新型存儲器方面，國內也有不少企業和科研單位進行探索，目前我國新型存儲器的專利擁有數已大大超過DRAM和NAND，和國內龍頭企業的差距相對來說也較小。

　　2015年我國存儲器市場規模達到2842.7億元，市場份額達54.1%。隨著一系列扶持政策的加速落實，集成電路產業投資力度將逐年加大，存儲晶片產業將迎來發展新機遇，耗材、裝備和封測等產業鏈上下游領域均有望受益。