2017年到2022年全球四氯化矽市場整體擴產速度維持在12%左右。高純度光纖級四氯化矽是製作光纖預製棒的主要原料,質量好壞直接影響光纖產品的質量。以下對四氯化矽行業概況分析。
四氯化矽行業概況分析,2017年國內高純四氯化矽需求在5-6萬噸,進口占比高達80%。據四氯化矽行業分析測算,2018-2025年國內高純四氯化矽的需求複合增速將達到12%,市場空間較大。
高純四氯化矽為無色透明液體,純度稍低的呈現微黃或者淡黃色,有窒息性氣味。常溫常壓下密度1.48,熔點-70℃,沸點57.6℃,沸點隨著壓力增高而增高。在潮濕空氣中水解而成矽酸和氯化氫。遇水時水解作用很激烈,也能和醇類起激烈反應。溶於四氯化碳、四氯化鈦、四氯化錫。現從六大分來分析四氯化矽行業概況。
四氯化矽行業概況分析,精餾法是利用四氯化矽與雜質組分之間揮發度的差異,藉助「回流」技術,即多次氣化和部分冷凝的過程,實現混合液高純度分離,從而得到高純度的四氯化矽產品。
固體吸附基本原理是基於化合物中各組分化學鍵極性不同來進行吸附分離的。四氯化矽行業概況分析, SiCl4 是無電偶極矩的對稱分子,與此相反,所含雜質如 AlCl3、 FeCl3、 PCl3 和 BCl3 等是具有相當大偶極矩的不對稱分子,強烈地趨向於形成加成化學鍵,很容易被吸附劑吸附。
四氯化矽行業概況分析,吸附方法去除極性和含氫雜質,然後利用精餾方法可以將與 SiCl4 揮發度相差較大的雜質有效去除。
與四氯化矽相比,三氯氫矽、金屬氯化物、鹵化硼以及其它含硼的絡合物更容易發生水解,或與水反應絡合形成難揮發的物質。四氯化矽行業概況分析,因此可採用部分水解法脫除四氯化矽中微量的硼雜質以及金屬雜質。
四氯化矽行業概況分析,光氯化法是通過紫外線照射氯氣,使氯氣分子發生自由鏈式反應,離解成 2 個氯原子自由基,氯原子自由基可與SiHCl3 及其他含氫雜質發生反應,含氫雜質發生脫氫氯化反應後,與四氯化矽的相對揮發度增大,從而有利於通過精餾提純進行分離,得到光纖用高純度四氯化矽。
低溫等離子法製備光纖用四氯化矽,一般採用介質屏蔽放電技術。四氯化矽行業概況分析,冷的等離子體在介質屏蔽放電過程中會產生大量活躍的自由基,四氯化矽中的含氫雜質很容易通過這些自由基發生反應,形成穩定的高沸物,然後再通過精餾等方法將其分離。
隨著國際國內多晶矽市場的變化,冷氫化技術也快速發展,多種適合冷氫化工藝技術運行條件的新材料、新設備相繼被研發使用成功,改良西門子工藝配合冷氫化技術對副產物四氯化矽進行回收利用,逐漸成為目前多晶矽生產普遍採用的首選工藝,國內江蘇中能、洛陽中矽等公司先後採用冷氫化技術,在上述兩家國內多晶矽生產廠家和國外多晶矽生產廠家的帶動下,在最近一輪新建項目和擴建項目中的企業不約而同的選擇了冷氫化技術作為降低能耗和成本的首選。四氯化矽行業概況分析,由於冷氫化技術具有反應溫度低、所需能耗小等優點,已經逐步成為企業降低單位產品能耗和成本的重要手段。
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