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第三代半導體國產化政策加碼 相關概念股強勢大漲

2020-09-17 10:07:21報告大廳(www.chinabgao.com) 字號:T| T
  報告大廳摘要:美國總統宣布成立「下一代功率電子技術國家製造業創新中心」,期望通過加強第三代半導體技術的研發和產業化,使美國占領下一代功率電子產業這個正出現的規模最大、發展最快的新興市場,並為美國創造出一大批高收入就業崗位。

  美國總統宣布成立「下一代功率電子技術國家製造業創新中心」,期望通過加強第三代半導體技術的研發和產業化,使美國占領下一代功率電子產業這個正出現的規模最大、發展最快的新興市場,並為美國創造出一大批高收入就業崗位。

  日本也建立了「下一代功率半導體封裝技術開發聯盟」,由大阪大學牽頭,協同羅姆、三菱電機、松下電器等18家從事SiC和GaN材料、器件以及應用技術開發及產業化的知名企業、大學和研究中心,共同開發適應SiC和GaN等下一代功率半導體特點的先進封裝技術。

  歐洲則啟動了產學研項目「LASTPOWER」,由意法半導體公司牽頭,協同來自義大利、德國等六個歐洲國家的私營企業、大學和公共研究中心,聯合攻關SiC和GaN的關鍵技術。項目通過研發高性價比且高可靠性的SiC和GaN功率電子技術,使歐洲躋身於世界高能效功率晶片研究與商用的最前沿。

  半導體是中國技術雄心的每個組成部分的基礎。因此,對於國產半導體來說,這場高科技戰役只能勝利。中國政府也將大力支持行業的發展,在2021至2025年期間,「舉全國之力」,在教育、科研、開發、融資、應用等各方面全力發展第三代半導體,以實現產業自主。

  《2019-2021年中國半導體拉晶爐設備市場專題研究及投資可行性評估報告》數據指出,第三代半導體是以氮化鎵和碳化矽、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等為代表的材料。相較前兩代產品性能優勢顯著,憑藉其高效率、高密度、高可靠性等優勢,在新能源汽車、通信以及家用電器等領域發揮重要作用,成為業內關注的新焦點。

  中國半導體行業協會副理事長魏少軍在南京舉行的2020年世界半導體大會上表示,中國2020年晶片進口預計將連續第三年保持在3000億美元以上。

  目前,我國發展第三代半導體面臨的機遇非常好,因為過去十年,在半導體照明的驅動下,氮化鎵無論是材料和器件成熟度都已經大大提高,但第三代半導體在電力電子器件、射頻器件方面還有很長的路要走,市場和產業剛剛啟動,還面臨巨大挑戰,必須共同努力。

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