您好,歡迎來到報告大廳![登錄] [註冊]
您當前的位置:報告大廳首頁 >> 半導體存儲器行業分析報告 >> 2016年我國半導體存儲器產業布局趨勢分析

2016年我國半導體存儲器產業布局趨勢分析

2016-09-29 16:57:33報告大廳(www.chinabgao.com) 字號:T| T

  在《國家集成電路產業產業發展推進綱要》、《中國製造2025》等一系列政策計劃的落實和集成電路產業投資基金的大力投入之下,已為存儲器產業在市場、政策及資金等方面奠定良好的基礎,故2015至2016年中國半導體行業將以存儲器為發展重點,最主要是存儲器與微處理器是發展半導體業不能或缺的領域。現對2016年我國半導體存儲器產業布局分析。

  特別是存儲器的發展不僅是因為其處於集成電路產業的核心地位,更是基於信息安全的考慮,主要是因為唯有在存儲器、CPU等核心晶片領域實現自主可控能力(包括核心技術、關鍵零部件、各類軟體全部國產化,自己開發和製造),才能確保國防與信息安全,更何況存儲器將在新一代信息技術如物聯網、大數據、雲端運算等中扮演重要的角色。

  事實上,有鑑於中國智能型手機、平板計算機、智能可穿戴設備、伺服器等消費電子產品在全球的地位穩步提升,對DRAM、NAND Flash等存儲器的市場需求也隨之提升,預計2016年中國大陸存儲器所需的市場規模將達到近2800億人民幣,但目前大陸自給率幾乎為零,反映未來進口替代空間大,此成為中國切入存儲器市場最大的優勢。

  中國發展存儲器產業尚有國家戰略、各項配套做為支撐,其中除官方將主導產業垂直整合,也就是企業間將通過共同研發、平台共享、供銷協議等方式加強聯繫、共同分擔風險之外,更是積極挖角國際級的存儲器管理人才。

  半導體存儲器行業市場調查分析報告顯示,至於廠商的發展動態方面,除武漢新芯宣布進軍NAND領域,計劃推出3D-NAND產品拉近與國際大廠的距離之外,聯電也將與晉江市政府合作,打造中國的DRAM產業,並以利基型存儲器作為切入點,而未來聯電初期將以台灣作為研發基地,南科則成聯電與晉江合作案的研發重鎮,顯示聯電布局中國市場相當積極,而晉江政府在中國政府的政策與資金支持,並藉助聯電與南科的技術優勢、人才經驗,打造另類兩岸合作DRAM事業模式。

  藉由上述可知,大陸在不久的將來將開始加入技術專利壟斷、市場寡頭成型、產業投資巨大、周期性波動劇烈的全球存儲器競爭行業中,來實現存儲技術及產品的自主可控能力,也使全球存儲器市場供需與競爭態勢增添不確定因素。

  值得注意的是,由於全球NAND Flash當前仍是由國際大廠所掌握,也布下綿密的專利網,因此在武漢新芯、同方國芯、萬億基科技(合肥Elpida)尚未取得上述主要國際大廠的技術授權合作,僅有武漢新芯在2015年初與Spansion合作,展開3D NAND Flash技術開發,目前已完成8層NAND Flash晶片之下,未來中國能否順利從3D NAND Flash切入來架構整體存儲器產業,仍有待考驗。

更多半導體存儲器行業研究分析,詳見中國報告大廳《半導體存儲器行業報告匯總》。這裡匯聚海量專業資料,深度剖析各行業發展態勢與趨勢,為您的決策提供堅實依據。

更多詳細的行業數據盡在【資料庫】,涵蓋了宏觀數據、產量數據、進出口數據、價格數據及上市公司財務數據等各類型數據內容。

(本文著作權歸原作者所有,未經書面許可,請勿轉載)
報告
研究報告
分析報告
市場研究報告
市場調查報告
投資諮詢
商業計劃書
項目可行性報告
項目申請報告
資金申請報告
ipo諮詢
ipo一體化方案
ipo細分市場研究
募投項目可行性研究
ipo財務輔導
市場調研
專項定製調研
市場進入調研
競爭對手調研
消費者調研
數據中心
產量數據
行業數據
進出口數據
宏觀數據
購買幫助
訂購流程
常見問題
支付方式
聯繫客服
售後保障
售後條款
實力鑑證
版權聲明
投訴與舉報
官方微信帳號