2016年我國半導體存儲器行業投資前景分析

　　7月北美半導體設備訂單出貨比(B/B值)為1.05，並已連續8個月守穩在1以上，表明全球晶圓代工廠與存儲器設備投資加快。另外，2016年全球主要集成電路製造企業的資本支出呈正增長。機構預計，2016年全球集成電路產業或將觸底回暖。現對2016年我國半導體存儲器行業投資前景分析。

　　數據顯示，2016年至2017年，全球預計新建晶圓廠19座。其中，10座將建於我國，全球半導體產能正加速向我國轉移。機構預計，到2019年，我國集成電路企業銷售額增速將維持在25%至30%。

　　存儲器是半導體產業資本支出最高的領域，占整個行業的38%。存儲器作為我國集成電路支柱產業，目前主要依賴進口。數據顯示，僅去年前三季度，我國採購了120 億美元的DRAM 和66.7 億美元的NAND flash，分別占到全球消費量的 21.6%和29.1%。存儲器是我國半導體行業四大產品類型中自給率最低的一個，未來具有較大的發展空間。

　　目前，我國正斥巨資啟動國家存儲器戰略。今年3月，總投資240億美元的存儲器基地項目在武漢東湖高新區正式啟動。據了解，這一存儲器基地項目的主要產品為3D NAND，預計到2020年將形成月產能30萬片的生產規模，到2030年有望建成每月100萬片的產能。另外，紫光集團已明確旗下紫光國芯為其存儲平台，並已定增800億元用於存儲器戰略。但由於存儲器行業門檻高，我國在傳統的存儲器領域很難短期內趕超國外同行，所以新型存儲器將成為我國彎道超車的最佳選擇。

　　目前，存儲器市場的三大主流產品分別為DRAM、NAND Flash和NOR Flash。不論是NAND 還是DRAM，在成本和性能等方面都漸漸開始顯露疲態，因此各大存儲器龍頭均在積極發展新型存儲器。

　　2016-2021年中國半導體存儲器行業發展分析及投資潛力研究報告表明，在政策的大力支持下，國內企業在存儲器領域取得了較大發展。在3D NAND 方面，去年武漢新芯攜手Spansion已經在存儲器研發上取得進展，具有9層結構的三維存儲器晶片下線;在PCM和RRAM等新型存儲器方面，國內也有不少企業和科研單位進行探索，目前我國新型存儲器的專利擁有數已大大超過DRAM和NAND，和國內龍頭企業的差距相對來說也較小。

　　2015年我國存儲器市場規模達到2842.7億元，市場份額達54.1%。隨著一系列扶持政策的加速落實，集成電路產業投資力度將逐年加大，存儲晶片產業將迎來發展新機遇，耗材、裝備和封測等產業鏈上下游領域均有望受益。

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