中國報告大廳網訊,通過對快閃記憶體晶片行業各項數據統計分析,快閃記憶體晶片公司排名前十的分別是ADM、三星、東芝、NEC、飛利浦、Intel、高通、聯發科、超威科技、恩智浦。以下為快閃記憶體晶片公司排名的詳細介紹。
快閃記憶體晶片(Flash晶片)是最主要的存儲晶片,是一種主流的非易失性存儲器,主要分為 NOR Flash 和 NAND Flash 兩種。近年來,隨著我國智慧型手機、可穿戴設備等領域快速發展,需求大增,快閃記憶體晶片自主化需求迫切;該行業經過多年發展,積累了一定人才,同時國家在資金、政策方面大力扶持,技術突破、進口替代趨勢加快。
快閃記憶體晶片公司排名:ADM
ADM的創始人早在1902年就開始了相關業務的生意,但在1905才在美國明尼蘇達州明尼阿波里斯註冊了Archer Daniels這個名字,現在ADM公司的總部設在美國伊利諾州狄克多市。公司成立後,隨著之後幾年的發展,ADM將勢力擴大到威斯康辛,紐約等地。當資本慢慢積累後,1923年併購了米蘭亞麻子產物公司(Midland Linseed Products Company)後,公司正式更名為Archer Daniels Midland,聲名顯赫的ADM公司便由此誕生了。
快閃記憶體晶片公司排名:三星
三星集團是韓國最大的跨國企業集團,同時也是上市企業全球500強,三星集團包括眾多的國際下屬企業,旗下子公司有:三星電子、三星物產、三星航空、三星人壽保險等,業務涉及電子、金融、機械、化學等眾多領域。
快閃記憶體晶片公司排名:東芝
東芝業務領域包括數碼產品、電子元器件、社會基礎設備、家電等。20世紀80年代以來,東芝從一個以家用電器、重型電機為主體的企業,轉變為包括通訊、電子在內的綜合電子電器企業。進入90年代,東芝在數位技術、移動通信技術和網絡技術等領域取得了飛速發展,成功從家電行業的巨人轉變為IT行業的先鋒。
快閃記憶體晶片公司排名:NEC
日本電氣股份有限公司(NEC Corporation),簡稱NEC,是日本的一家跨國信息技術公司,總部位於日本東京港區(Minato-Ku)。NEC為商業企業、通信服務以及政府提供信息技術(IT)和網絡產品。在台灣被稱為恩益禧,是日本一家跨國信息技術公司,總部位於東京港區。
快閃記憶體晶片公司排名:飛利浦
飛利浦,1891年成立於荷蘭,主要生產照明、家庭電器、醫療系統方面的產品。飛利浦公司,2007年全球員工已達128,100人,在全球28個國家有生產基地,在150個國家設有銷售機構,擁有8萬項專利,實力超群。2011年7月11日,飛利浦宣布收購奔騰電器(上海)有限公司,金額約25億元。
快閃記憶體晶片公司排名:Intel
英特爾是美國一家主要以研製CPU處理器的公司,是全球最大的個人計算機零件和CPU製造商,它成立於1968年,具有近50年產品創新和市場領導的歷史。1971年,英特爾推出了全球第一個微處理器。微處理器所帶來的計算機和網際網路革命,改變了整個世界。在2016年世界五百強中排在第51位。
快閃記憶體晶片公司排名:高通
高通創立於1985年,總部設於美國加利福尼亞州聖迭戈市,33,000多名員工遍布全球。高通公司是全球3G、4G與5G技術的企業,目前已經向全球多家製造商提供技術使用授權,涉及了世界上所有電信設備和消費電子設備的品牌。
快閃記憶體晶片公司排名:聯發科
中國台灣聯發科技股份有限公司(MediaTek.Inc)是全球著名IC設計廠商,專注於無線通訊及數字多媒體等技術領域。其提供的晶片整合系統解決方案,包含無線通訊、高清數位電視、光儲存、DVD及藍光等相關產品。
快閃記憶體晶片公司排名:海力士
Hynix 海力士晶片生產商,源於韓國品牌英文縮寫"HY"。海力士即原現代內存,2001年更名為海力士。海力士半導體是世界第三大DRAM製造商,也在整個半導體公司中占第九位。海力士為原來的現代內存,2001年更名為海力士。2012年更名SK hynix。
快閃記憶體晶片公司排名:恩智浦
恩智浦半導體 (NASDAQ: NXPI)致力於通過連接及基礎設施解決方案為人們更智能、便捷的生活保駕護航。作為全球知名的汽車電子及人工智慧物聯網節點處理晶片公司,恩智浦提供了從邊緣計算到網關、到雲端的完整物聯網解決方案,推動著互聯汽車、智能互聯解決方案市場的創新。
集成電路成為我國最大宗進口產品,工信部發布的數據顯示,2016年中國集成電路進口3425.5億塊,同比增長9.1%,進口金額2271億美元,連續4年超過2000億美元;而在晶片領域,存儲晶片是產值和需求量第一的晶片,占晶片總產值近25%,2015年國內的存儲晶片的市場規模接近2800億元,進口比例超過 90%。
在NAND快閃記憶體的市場部分,根據TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)的最新研究報告顯示,中國市場消耗的NAND快閃記憶體越來越多,2017年將占到全球市占率的30%,而到了2020年更將達到40%,發展潛力巨大。未來5-10年階段,國產化的存儲晶片進口替代空間巨大。
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