碳化矽晶圓驅動功率半導體市場向多元化發展

  中國報告大廳網訊，2025年全球功率半導體晶圓市場正經歷深刻變革，以碳化矽（SiC）為首的寬禁帶材料成為增長核心動力。據最新預測顯示，到2035年碳化矽晶圓市場規模將突破6195億日元，而金剛石等下一代材料的商業化進程也在加速。這一趨勢不僅重塑了功率器件的技術路線圖，更推動著全球半導體產業向高效能、高可靠性方向演進。

  一、碳化矽晶圓市場規模預計2035年達6195億日元

  中國報告大廳發布的《2025-2030年中國碳化矽行業項目調研及市場前景預測評估報告》指出，當前碳化矽晶圓市場呈現顯著擴張態勢。2024年銷售額已達到1436億日元，預計到2035年將實現約4.3倍的增長（6195億日元）。儘管2024年底功率半導體需求短期放緩導致價格波動——6英寸晶圓單價下降抵消了81.9%的銷量增長，但整體銷售額仍同比增長46.1%。隨著電動汽車、可再生能源等領域對高能效器件的需求回升，預計2025年銷售量與銷售額將繼續保持約20%的增長。

  二、市場動態：需求波動與技術升級並存

  當前行業面臨雙重挑戰與機遇：一方面功率半導體製造商推遲8英寸產線投資導致產能擴張放緩；另一方面中國等新興廠商加速推進大尺寸晶圓量產。值得注意的是，6英寸晶圓仍占據90%以上市場份額，但4英寸產品因需求萎縮逐步退出主流市場。而8英寸SiC晶圓雖尚未形成規模經濟效應，卻已引發市場對2026年後爆發式增長的期待。

  三、尺寸結構分析：6英寸主導，8英寸蓄勢待發

  從技術路線看，6英寸晶圓仍為當前產業支柱，其成本優勢與成熟工藝使其短期內難以被取代。但行業變革已在醞釀——中國等國家已開始向國際市場輸出8英寸SiC晶圓，預計2026年後將形成新的競爭格局。這種尺寸升級不僅關乎產能提升，更影響著外延片良率和器件性能優化。

  四、下一代材料崛起：金剛石等新材料嶄露頭角

  在碳化矽之外，功率半導體材料多元化趨勢加速顯現。金剛石晶圓有望成為下一個突破點：2英寸產品的商業化進程將推動市場規模於2035年達到46億日元；氮化鋁晶圓已進入4英寸樣品交付階段，預計實現量產應用；氧化鎵與GaN單晶晶圓則計劃在2030年前後推出6英寸產品。這些材料憑藉獨特的導熱性能或擊穿電壓優勢，在高頻、高功率場景中展現獨特價值。

  五、矽晶圓市場調整後迎來增長機遇

  傳統矽基材料並未被完全替代，反而通過技術疊代開闢新空間。2024年矽晶圓市場隨整體需求收縮短暫下滑，但隨著2025年起6英寸GaN單晶與氧化鎵晶圓的實用化進程加速，預計將迎來持續增長。這種"老樹發新枝"的現象印證了半導體材料生態系統的動態平衡特性。

  總結

  功率半導體晶圓市場正經歷從矽基向複合材料的結構性轉型。碳化矽作為當前主導力量，其市場規模將在2035年突破6195億日元；而金剛石、氮化鋁等新興材料則通過差異化性能開闢細分賽道。尺寸升級與技術疊代並行不悖——6英寸維持主流地位的同時，8英寸晶圓的產業化進程將重塑未來競爭格局。這場以能效為核心驅動力的技術革命，不僅關乎材料本身的突破，更深層次影響著電動汽車、數據中心、智能電網等終端應用領域的創新步伐。

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