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2025年DRAM市場競爭

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  DRAM行業市場競爭分析報告主要分析要點包括:
  1)DRAM行業內部的競爭。導致行業內部競爭加劇的原因可能有下述幾種:
  一是行業增長緩慢,對市場份額的爭奪激烈;二是競爭者數量較多,競爭力量大抵相當;
  三是競爭對手提供的產品或服務大致相同,或者只少體現不出明顯差異;
  四是某些企業為了規模經濟的利益,擴大生產規模,市場均勢被打破,產品大量過剩,企業開始訴諸於削價競銷。
  2)DRAM行業顧客的議價能力。行業顧客可能是行業產品的消費者或用戶,也可能是商品買主。顧客的議價能力表現在能否促使賣方降低價格,提高產品質量或提供更好的服務。
  3)DRAM行業供貨廠商的議價能力,表現在供貨廠商能否有效地促使買方接受更高的價格、更早的付款時間或更可靠的付款方式。
  4)DRAM行業潛在競爭對手的威脅,潛在競爭對手指那些可能進入行業參與競爭的企業,它們將帶來新的生產能力,分享已有的資源和市場份額,結果是行業生產成本上升,市場競爭加劇,產品售價下降,行業利潤減少。
  5)DRAM行業替代產品的壓力,是指具有相同功能,或能滿足同樣需求從而可以相互替代的產品競爭壓力。

  DRAM行業市場競爭分析報告是分析DRAM行業市場競爭狀態的研究成果。市場競爭是市場經濟的基本特徵,在市場經濟條件下,企業從各自的利益出發,為取得較好的產銷條件、獲得更多的市場資源而競爭。通過競爭,實現企業的優勝劣汰,進而實現生產要素的優化配置。研究DRAM行業市場競爭情況,有助於DRAM行業內的企業認識行業的競爭激烈程度,並掌握自身在DRAM行業內的競爭地位以及競爭對手情況,為制定有效的市場競爭策略提供依據。

  

延伸閱讀

機構:預計2027年底DRAM將邁入個位數納米技術節點(20250218/14:35)

TechInsights平台上發布報告稱,2025年第一季度,市場上將首次推出D1c的一小部分產品,首先由SK海力士推出。D1c世代將在2026年和2027年占據主導地位,包括HBM4 DRAM應用。從市場角度看,HBM產品,尤其是HBM3和HBM3E,性能卓越但目前價格高昂,而傳統產品如LPDDR5和DDR5器件則價格較低且性能相對較弱。未來AI和數據中心將需要更高的單個裸晶的內存容量,例如32 Gb、48 Gb或64 Gb晶片,但目前市場上主流仍是16 Gb裸晶。在更高密度的DRAM晶片中,應開發3D DRAM架構,如4F2垂直溝道電晶體 (VCT) 單元、IGZO DRAM單元或3D堆疊DRAM單元,並在10納米以下級別節點(個位數節點)實現產品化,尤其是三星、SK海力士和美光等主要廠商,作為下一代DRAM縮放的候選方案。D1a和D1b是市場上的主流產品。到2027年底,我們預計DRAM將邁入個位數納米技術節點,如D0a,隨後將是0b和0c世代。

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