DRAM行業趨勢研究報告是通過對影響DRAM行業市場運行的諸多因素所進行的調查分析,掌握DRAM行業市場運行規律,從而對DRAM行業的未來的發展趨勢特點、市場容量、競爭趨勢、細分下游市場需求趨勢等進行預測。
DRAM行業趨勢研究報告主要分析要點包括:
1)DRAM行業發展趨勢特點分析。通過對DRAM行業發展影響因素分析,總結出未來DRAM行業總體運行趨勢特點;
2)預測DRAM行業生產發展及其變化趨勢。對生產發展及其變化趨勢的預測,這是對市場中商品供給量及其變化趨勢的預測;
3)預測DRAM行業市場容量及變化。綜合分析預測期內DRAM行業生產技術、產品結構的調整,預測DRAM行業的需求結構、數量及其變化趨勢。4)預測DRAM行業市場價格的變化。企業生產中投入品的價格和產品的銷售價格直接關係到企業盈利水平。在商品價格的預測中,要充分研究勞動生產率、生產成本、利潤的變化,市場供求關係的發展趨勢,貨幣價值和貨幣流通量變化以及國家經濟政策對商品價格的影響。
DRAM行業趨勢研究報告主要依據了國家統計局、國家海關總署、國家發改委、國家商務部、國家工業和信息化部、行業協會、國內外相關刊物雜誌等的基礎信息,結合DRAM行業歷年供需關係變化規律,對DRAM行業內的企業群體進行了深入的調查與研究,對DRAM行業環境、DRAM市場供需、DRAM行業經濟運行、DRAM市場格局、DRAM生產企業等的詳盡分析。在對以上分析的基礎上,對DRAM行業未來發展趨勢和市場前景進行科學、嚴謹的分析與預測。
TechInsights平台上發布報告稱,2025年第一季度,市場上將首次推出D1c的一小部分產品,首先由SK海力士推出。D1c世代將在2026年和2027年占據主導地位,包括HBM4 DRAM應用。從市場角度看,HBM產品,尤其是HBM3和HBM3E,性能卓越但目前價格高昂,而傳統產品如LPDDR5和DDR5器件則價格較低且性能相對較弱。未來AI和數據中心將需要更高的單個裸晶的內存容量,例如32 Gb、48 Gb或64 Gb晶片,但目前市場上主流仍是16 Gb裸晶。在更高密度的DRAM晶片中,應開發3D DRAM架構,如4F2垂直溝道電晶體 (VCT) 單元、IGZO DRAM單元或3D堆疊DRAM單元,並在10納米以下級別節點(個位數節點)實現產品化,尤其是三星、SK海力士和美光等主要廠商,作為下一代DRAM縮放的候選方案。D1a和D1b是市場上的主流產品。到2027年底,我們預計DRAM將邁入個位數納米技術節點,如D0a,隨後將是0b和0c世代。