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2025年DRAM可行性研究

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  2025年DRAM行業可行性研究是對擬建項目有關的自然、社會、經濟、技術等進行調研、分析比較以及預測建成後的社會經濟效益的基礎上,綜合論證項目建設的必要性,財務的盈利性,經濟上的合理性,技術上的先進性和適應性以及建設條件的可能性和可行性,從而為投資決策提供科學依據。

  DRAM行業可行性研究報告的用途

  • ◆ 建設項目論證、審查、決策的依據。
  • ◆ 編制設計任務書和初步設計的依據。
  • ◆ 籌集資金,向銀行申請貸款的重要依據。
  • ◆ 申請專項資金,向有關主管部門申請專項資金的重要依據。
  • ◆ 股票發行,向證監會申請股票上市的重要依據。
  • ◆ 取得用地,向國土部門、開發區、工業園申請用地的重要依據。
  • ◆ 企業(項目)法人與項目實施單位簽訂合同、協議的依據。
  • ◆ 引進技術,進口設備和對外談判的依據。
  • ◆ 環境部門審查項目對環境影響的依據。

  北京宇博智業投資諮詢有限公司可行性研究業務中心擁有畢業於國內外知名高校的技術人才組成的專業化團隊,和由政府領導、權威專家組成的顧問團隊。截止目前,已經完成300多個項目的可行性研究,受到了客戶的廣泛讚譽。

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機構:預計2027年底DRAM將邁入個位數納米技術節點(20250218/14:35)

TechInsights平台上發布報告稱,2025年第一季度,市場上將首次推出D1c的一小部分產品,首先由SK海力士推出。D1c世代將在2026年和2027年占據主導地位,包括HBM4 DRAM應用。從市場角度看,HBM產品,尤其是HBM3和HBM3E,性能卓越但目前價格高昂,而傳統產品如LPDDR5和DDR5器件則價格較低且性能相對較弱。未來AI和數據中心將需要更高的單個裸晶的內存容量,例如32 Gb、48 Gb或64 Gb晶片,但目前市場上主流仍是16 Gb裸晶。在更高密度的DRAM晶片中,應開發3D DRAM架構,如4F2垂直溝道電晶體 (VCT) 單元、IGZO DRAM單元或3D堆疊DRAM單元,並在10納米以下級別節點(個位數節點)實現產品化,尤其是三星、SK海力士和美光等主要廠商,作為下一代DRAM縮放的候選方案。D1a和D1b是市場上的主流產品。到2027年底,我們預計DRAM將邁入個位數納米技術節點,如D0a,隨後將是0b和0c世代。

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