1nm電晶體誕生 未來處理器性能和功耗將獲巨大進步

　　據外媒報導，今天，沉寂已久的計算技術界迎來了一個大新聞。勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊打破了物理極限，將現有最精尖的電晶體製程從14nm縮減到了1nm。 這意味著，未來處理器的性能和功耗都能會獲得巨大進步。

　　電晶體的製程大小一直是計算技術進步的硬指標，而勞倫斯伯克利國家實驗室將現有最精尖的電晶體製程從14nm縮減到1nm，未來電子零部件還有較大縮減空間，處理器的性能和功耗都能會有巨大進步。

　　該研究是教授阿里·加維（AliJavey）領導的一個研究小組完成的，他們利用碳納米管和一種稱為二硫化鉬的化合物開發出了全球最小的電晶體。

　　從晶片的製造來看，7nm就是物理極限。一旦電晶體大小低於這一數字，它們在物理形態上就會非常集中，以至於產生「隧道效應」的量子力學現象，從而阻止電流從源極流到漏極。因此，業界普遍認為，想解決這一問題就必須突破現有的邏輯門電路設計，讓電子能持續在各個邏輯門之間穿梭。

　　而德賽稱：「我們的研究成果表明，低於5納米的柵極不是不可能的。一直以來，人們都是基於矽材料來縮小電子零部件的體積。而我們放棄了矽材料，選了二硫化鉬，結果開發出了只有1納米的柵極。」

　　勞倫斯伯克利國家實驗室的1nm電晶體由納米碳管和二硫化鉬（MoS2）製作而成，MoS2將擔起原本半導體的職責，而納米碳管則負責控制邏輯門中電子的流向。

　　現在，我們使用的主流晶片製程為14nm，明年，整個業界就將開始向10nm製程發展。而實驗室的研究還停留在初級階段，一個模具上就有超過10億個電晶體，而要將電晶體縮小到1nm，大規模量產的困難有些過於巨大。更多相關電子行業資訊請查閱由中國報告大廳發布的電子行業市場調查分析報告。

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