中國報告大廳網訊,當前全球存儲行業正迎來關鍵轉折點。隨著供需關係持續改善及消費電子旺季臨近,存儲晶片價格呈現全面回暖趨勢。數據顯示,主流DRAM、NAND Flash及利基存儲產品在第三季度均出現顯著上漲動能,頭部廠商憑藉技術疊代與產能調整,在DDR5滲透加速和AI伺服器需求爆發的雙重驅動下占據先機。本報告結合最新市場數據,解析存儲產業鏈核心環節的競爭格局與發展機遇。
中國報告大廳發布的《2025-2030年中國存儲行業發展趨勢分析與未來投資研究報告》指出,行業分析顯示,2025年7-9月期間DRAM與NAND Flash合約價漲幅將擴大至歷史高位水平:
利基存儲領域同樣釋放積極信號:NOR Flash因台系廠商結構性缺貨,第三季度合約價漲幅達10%-15%;SLC NAND Flash價格預計上漲10%,進一步支撐中小容量市場供需平衡。
全球主要存儲廠商正通過產能重組與技術疊代鞏固競爭壁壘:
存儲模組分銷商憑藉供應鏈整合能力,在價格波動周期中成為產業鏈關鍵環節。其庫存管理策略與客戶響應速度直接影響終端產品交付效率,頭部企業有望在消費電子旺季進一步擴大市場份額。
數據顯示,2025年第三季度存儲市場的核心驅動力來自三大方向:
1. 伺服器市場:美光等領軍企業預計伺服器DRAM出貨量將保持中個位數增長,AI訓練集群對高密度HBM的需求持續超預期。
2. 消費電子復甦:智能手機與PC出貨量環比低個位數回升,帶動移動存儲(如UFS、eMMC)價格企穩。
3. 利基市場突破:兆易創新等廠商通過大容量NOR Flash技術升級,搶占AI邊緣計算設備的增量空間。
2025年第三季度全球存儲產業呈現「量價齊升」態勢:主流DRAM價格全面回暖、利基存儲結構性缺貨推動漲價潮,疊加消費電子旺季需求釋放,產業鏈各環節企業均迎來業績拐點。頭部廠商通過技術路線切換(如DDR5滲透加速)與產能優化鞏固優勢,而分銷商則在供應鏈穩定性中扮演關鍵角色。未來隨著AI算力需求持續增長及存儲晶片國產化進程提速,行業集中度將進一步提升,技術創新能力將成為新一輪競爭的核心壁壘。
數據來源:市場調研機構公開報告、企業業績公告(截至2025年7月)
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