中國報告大廳網訊,在半導體材料疊代的關鍵窗口期,碳化矽(SiC)晶圓技術突破正重塑全球供應鏈格局。隨著12英寸方形SiC晶圓研發取得實質性進展,頭部企業在工藝適配、成本控制和應用拓展方面展開激烈角逐。行業數據顯示,非中國供應鏈面臨價格戰與產能擴張的雙重挑戰,而AR眼鏡光波導、AI晶片先進封裝等新興領域對大尺寸晶圓的需求正加速技術路線演進。

中國報告大廳發布的《2025-2030年中國晶圓行業市場供需及重點企業投資評估研究分析報告》指出,某國際頭部半導體材料企業在本月宣布成功開發出12英寸方形SiC晶圓,標誌著其在傳統矽基晶圓製造經驗基礎上實現了關鍵跨領域突破。該技術不僅需要製程能力的提升,還需配套設備、量測系統及封裝方案的整體適配——例如方形晶圓對存儲容器尺寸提出新要求(現有圓形晶圓盒無法兼容),且SiC材料透光特性帶來的檢測方式革新尚未完全解決。
在切割工藝方面,8英寸SiC晶圓普遍採用激光技術,但12英寸產品因體積增大需開發全新切割方案。某企業研發的非激光切割法已進入應用測試階段,其經驗積累源於多年12英寸矽基晶圓生產的技術沉澱。這一進展為新能源汽車、5G基站等高壓應用場景提供了更優解決方案。
行業觀察顯示,全球SiC晶圓市場價格體系正經歷劇烈波動:6英寸產品跌幅最深,8英寸次之。某龍頭企業(市占率約33%)因成本結構劣勢在2025年五月份申請破產保護,折射出國際供應鏈對價格下行壓力的脆弱性。相反,另一家重點企業選擇差異化路徑——其12英寸SiC晶圓將於年內量產,並直接切入汽車電子、高端伺服器等高附加值領域。
市場分析指出,非中國區客戶正加速尋找替代供應商以規避風險。某廠商通過優化成本結構,在保持技術領先的同時維持價格競爭力,目標成為該區域最具影響力的基板供應商。其2025年SiC業務營收占比預計不超過10%,但出貨量增長將部分抵消單價下滑壓力。
SiC材料的降本增效正打開多領域市場空間:
行業專家預測,隨著光伏產業式降價路徑在SiC領域重演,市場規模將伴隨成本曲線同步擴張。重點企業通過聯合設備供應商開發專用產線、投資長晶爐等核心裝備,正構建從晶體生長到切割封裝的全鏈條優勢。
截至當前統計節點(2025/9/11),SiC晶圓市場呈現三重分化態勢:
1. 產能維度:頭部企業加速12英寸產線建設,中國區廠商憑藉成本優勢主導中低端市場;
2. 技術維度:方形晶圓切割、非激光加工等工藝創新成為差異化競爭焦點;
3. 應用維度:新能源汽車仍占主要需求(約60%),但數據中心與消費電子的滲透率增速顯著。
邁向碳化矽時代的關鍵變量
2025年的晶圓產業正處於技術路線切換與市場格局重塑的臨界點。重點企業通過突破12英寸SiC晶圓量產瓶頸,不僅鞏固了在傳統應用領域的優勢地位,更借新興需求爆發窗口搶占未來十年競爭高地。儘管價格戰導致行業利潤率承壓,但材料性能帶來的能效提升正推動終端產品加速轉型——當成本降至臨界閾值時,全產業鏈的結構性變革將全面啟動。這場圍繞晶圓尺寸、形狀與工藝的創新競賽,最終指向一個更高效、低碳且多元化的半導體新紀元。
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